Вверх

Изготовление



Электронная аппаратура /




Изготовление подложекДля изготовления полупроводниковых ИМ со степенью интеграции приблизительно от 40 до 50 элементов необходима плошадь 1,5 мм*, причем в связи с повышением степени интеграции существует тенденция к увеличению площади подложки до нескольких квадратных миллиметров. Прежде чем отдельные ИМ будут выполнены как самостоятельные конструктивные единицы, они формируются с помощью групповых процессов окисления, фотолитографии, диффузии и напыления на больших лксках кремния, так называемых групповых пластинах. Такие пластины диаметром около 35 мм могут содержать приблизительно 500 ИМ — отдельных кристаллов ...
Изготовление  
Резка слитка на пластиныТак как монокристаллический стержень характеризуется некоторым колебанием размеров по диаметру из-за изменения температуры в процессе вытягивания из расплава, то прежде всего он точно шлифуется по диаметру. Затем вдоль слитка параллельно оси кристалла снимается часть материала, а на полученной таким образом поверхности измеряют распре деление сопротивления по длине стержня, благодаря чему проверяют, равномерно ли легирован стержень. Образующаяся при этом кромка определенной ширины служит для точной юстировки пластин при последующих процессах обработки. Пластины режутся бронзов ...
Изготовление  
Обработка поверхности пластинРезка оставляет на поверхности пластин следы гофрообразной формы глубиной 10 мкм и разрушенную кристаллическую структуру. Однако для дальнейшего использования необходима шероховатость поверхности не более 0,01 мкм. Поэтому пластины сначала притирают с обеих сторон очень мелкозернистой шлифовальной пастой на двукратнуюглубину гофрообразных следов и после этого полируют. Для этого властны загружают в концентрический планетарный механизм из листового металла, который движется между чугунными шлифовальными кругами по циклоидной траектории ( 2-45). В механизм непрерывно подают абразивн ...
Изготовление  
Технологические операции изготовления полупроводниковых интегральных микросхемВ технологии полупроводниковых интегральных микросхем отдельные элементы получают путем целенаправленного изменения свойств материала подложки легированной примесью. Это изменение свойств материала можно осуществлять только посла компоновки элементов в определенной областн на подложке, при этом элементы, реализованные иа этой основе, электрически соединяются друг с другом тонкими металлическими проводниками. Базовой технологиейсоздания полупроводниковых ИМ. является эпитакснально-планарная технология, поверхность кремниевых монокристаллических пластин окисляют ...
Изготовление  
ЭпитаксияКак следует из принципов функционирования ИМ, часто требуются разнообразные подложки, состоящие из нескольких гомогенно-легированных слоев с сильно отличающимися удельными сопротивлениями или слоев с различным типом проводимости (р- или л-типа, см. пункт 2-3-3-4). Выращивание тонких монокристаллических полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке называется эпнтаксией. Существующие способы эпйтаксин приведены на 2-46. Наибольшее технологическое значение имеет в настоящее время химическая эпитаксия. Высокотемпературная эпитаксия представляет собой термохимический ...
Изготовление  
ОкислениеЦеленаправленное введение атомов примеси в подложку возможно потому, что поверхность кремния покрыта твердой, химически стойкойи темлературостабнльной окисной пленкой, очень трудно преодолимой при проведении диффузии для атомов примеси (доноров или акцепторов). Эту пленку можно удалить с определенных мест с помощью фотолитографии. Окисные слои, кроме того, обеспечивают пассивацию поверхности изготовленных элементов, а значит, повышение надежности всей интегральной микросхемы, изоляцию внутрисхемных проводников друг от друга н формирование полевого электрода ...
Изготовление  
ФотолитографияДля локального внедрения примесей легированием на основе диффузии необходимо формирование с помощью фотолитографии ( 2*50) рельефа окисного слоя, действующего как маска. Подложка с окислом покрывается слоем фоторезиста толщиной 0,2—0,6 мкм, который облучается ультрафиолетовыми лучами через фотошаблон с требуемым рисунком. Фотошаблон пропускает все излучение в тех местах,, в которых не должна протекать диффузия, или, другими словами, фотошаблон зачернен на тех участках, на которых необходимо вскрыть окна', в слое окисла. При обработке слоя фоторезиста необлученные участки растворяются, обнажая ...
Изготовление  
ДиффузияПри выращивании кремниевых полупроводниковых монокристаллов с помощью одновременного легирования изготавливают однородные подложки с определенным типом проводимости и удельным сопротивлением. На таких подложках выращивают эпитаксиальные равномерно легированные слон. Целью* легирования является равномерное распределение примеси.Диффузия применяется для локального изменения концентрации примеси в монокристалле кремния и является в настоящее время важнейшим технологическим процессом, при изготовлений полупроводниковых структур. Он основан на том. что диффузионные силы, с помощью котор ...
Изготовление  
Напыление межэлементных соединенийДля соединения отдельных элементов микросхемы, а также для подачи входных и выходных сигналов и напряжения питания необходимо нанести на поверхность подложки тонкую металлическую пленку, так как внешние выводы микросхем не могут контактировать непосредственно с кремнием. Для межэлементных соединений используется преимущественно алюминий, образующий с кремнием р- и л+-типа проводимости невыпрямляющие (омические) контакты. В окисной пленке кремния вскрывают окна методом фотолитографии, далее напыляют алюминиевую пленку толщиной 0,1—1 мкм и затем вытравлив ...
Изготовление  
Кремниевый пленарный транзистор как дискретный элементНа примере технологического процесса изготовления отдельного эпитаксиального транзистора ( 2-57) можно проследить технологические операции, описанные в предыдущих разделах. На исходную высоколегированную кремниевую подложку р-тнпа проводимости наносится эпитаксиальный слой с высоким удельным сопротивлением, который затем окисляется. В слое окисла при помощи фотолитографитвскрывается окно, через которое осуществляется диффузия, формирующая область базы л-типа проводимости. Повторным окислением окна закрывается. Затем при помощи второй фотолитографии вытравливают ме ...
Изготовление  


Страницы:  1  




Технология производства | Техника и электроника www.electreandshem.ru



система     техники    программ    цена    технологии    производства   



Valid XHTML 1.0 Transitional