Вверх

Изоляция



Электронная аппаратура /




Методы создания Электрической изоляцииТак как электропроводность кремниевых подложек достаточно вы сока, то для уменьшения гальванических связей между элементами пои плотной компоновке необходима взаимная изоляция отдельных элементов.Целью всех методов изоляции является разделение подложки на отдельные изолированные друг от друга области. Эти методы представляют собой наглядный пример того, как можно реализовать различные варианты на основе комбинаций известных технологических операций. Оптимальный вариант для каждого случая применения выбирается инженером-разработчиком. Различают два способа: изоляция ...
Изоляция  
Изоляция обратносмещенным р-n переходомВо всех технологических вариантах изоляции этого вида используют высокое сопротивление диодов, смещенных в обратном направлении. На 2-68 показан принцип действия такой изоляции. При последующей эксплуатации интегральных схем изолированные области должны находиться под напряжением обратного смещения по отношению к подложке. Это означает, что к подложке прикладывается наиболее отрицательное напряжение схемы. При этом р-п переход образует высокоомный запирающий слой, который электрически отделяет диффузионную область л-типа проводимости от подложки.На 2-59 показаны различны ...
Изоляция  
Диэлектрическая изоляцияДля изоляции элементов микросхем обратносмещенным р*п переходом в качестве изолирующих зон используют полупроводниковые слои, которые получают в подложке при помощи диффузии. Паразитные емкости обратносмещенных р-л переходов можно значительно уменьшить, если изолируемые зоны кристалла отделить друг от друга с помощью диэлектрических слоев окисла или канавок, не нарушая при этом механическую связь с подложкой. В соответствии с этим имеются лез принципиальных метода диэлектрической изоляции: изоляция слоем окисла (эпик-метод), изоляция разделительными канавками (изоляция при помощи травления или ...
Изоляция  
Конструкция элементов интегральных микросхемВ полупроводниковых интегральных микросхемах преимущественно используются транзисторные элементы. В зависимости от типа интегральных элементов различают биполярные, униполярные (МДП) и интегральные микросхемы на основе барьера Шоттки.В первом случае основными элементами являются преимущественно биполярные транзисторы. Резисторы получают путем спадания вы-сокоомных слоев внутри монокрнсталлического кремния, в качестве конденсаторов используют емкость р-п переходов.Основными элементами униполярных интегральных микросхем являются МДП-транзисторы, которые наряду с ак ...
Изоляция  
Элементы биполярных интегральных микросхемОтличие интегральных транзисторов от дискретных состоит в расположении коллекторного контакта. У дискретных транзисторов он находится на стороне, обратной той, на которой размещены контактные базы и эмиттеры (см. 2-57), а у интегральных транзисторов для создания межэлементных соединений он должен быть выведен на ту же сторону.Поскольку сопротивление коллектора, определяемое толщиной коллекторной области, в последнем случае возрастает, то для его уменьшения в подложке создают высоколегированные, хорошо проводяшие области. Эти области обозначаются как скрытые колле ...
Изоляция  
Элементы МДП интегральных микросхемПринцип действия биполярных транзисторов основан на управлении током комбинацией прямосмещенного и обратносмещенного р-п переходов. По сравнению с этим в полевом транзисторе напряжение управляет проводимостью проводящего канала. Благодаря этому по своим свойствам полевой транзистор является аналогом электронных ламп. Если у биполярных транзисторов в проводимости участвуют носители зарядов двух знаков, то работа полевых транзисторов определяется движением носителей заряда только одного типа, поэтому они также называются униполярными транзисторами. Общим для обоих элементов явля ...
Изоляция  
Сравнительный анализ биполярных и МДП интегральных микросхемДля изготовления биполярного транзистора необходимы, по меньшей мере, три диффузионных процесса, по одному для получения коллекторной, базовой и эмнттерной зон. Для создания МДП-транзистороа с индуцированным каналом необходима только одна операция диффузии. Число технологических операций, используемых для изготовления МДП-транзисторов. существенно меньше, так как с каждым процессом диффузии связано проведение таких операций, как изготовление защитных масок, окисление, нанесение и удаление фоторезиста, травление. Так как процент выхода годных ИМ обратно пропорционален числу технологических опер ...
Изоляция  
МДП-структурДругим преимуществом МДП-структур является малая площадь подложки, необходимая для их реализации. Например, если для биполярного транзистора требуется на подложке площадь 0.015 мм2, то для реализации полевого МДП-транзнстора только 0.0006 мм3 [2-14], Это определяется тем, что для изоляции биполярного транзистора от других элементов необходимо создание дополнительного р-л перехода, занимающего определенную площадь поверхности кристалла. Это объясняется тем, что глубокая диффузия при создании изоляционных пере-городок связана с диффузией в боковом направлении, приводящей к увеличению ...
Изоляция  
Сборка интегральных микросхемВ процессе изготовления полупроводниковых интегральных микросхем сохраняют как можно дольше единство подложки. Только после того, как выполнены все технологические операции на пластине, ее разделяют на отдельные кристаллы.Последняя операция на пластине до ее разрезки заключается в проверке отдельных ИМ (рнс. 2-71). Для этого осуществляют контактирование очень тонких зондов с контактными площадками ИМ (приблизительно 50X50 мкм) — 2-72. Если для одной ИМ необходимо выполнить до 40 измерений, то для 500 ИМ, расположенных на одной: пластине,—2-10* измерений. Кроме того, при измерении ...
Изоляция  


Страницы:  1  


Динамические твердомеры ТЭМП-4К недорого.

Технология производства | Техника и электроника www.electreandshem.ru



система     техники    программ    цена    технологии    производства   



Valid XHTML 1.0 Transitional