Вверх

Микросхемы



Электронная аппаратура /




Гибридно-пленочные интегральные микросхемыТонкопленочные ИМ, если они не используются как чисто пассивные, должны дополняться всегда дискретными элементами или бескорпусными полупроводниковыми ИМ, так как активные тонкопленочные элементы до сих пор серийно не изготавливаются. Такого рода тонкопленочные ИМ называются гибридными. К достоинствам этих микросхем по сравнению с совмещенными можно отнести возможность предварительного выбора дискретных элементов, низкую стоимость подложек, а также возможность применения существенно больших номиналов тонкопленочных конденсаторов н мощных резисторов. Недостатком является необходимость дополните ...
Микросхемы  
Совмещенные интегральные микросхемыТехнология полупроводниковых ИМ уже включает в себя операции по изготовлению тонких слоев в виде изолирующих пленок Si02 и напыленных пленок металлов для межэлементных соединений. Отсюда совсем близко до идеи дополнить полупроводниковые ИМ тонкопленочными элементами. Отличительными особенностями совмещенных ИМ является применение дополнительных резистивных и диэлектрических материалов наряду с кремнием, Si02 и чистыми металлами для межэлементных соединений, а также независимость принципа действия тонкопленочных элементов от кремния. На 2-75 ...
Микросхемы  
Многакристпъиые гибридные интегральные микросхемыДля повышения плотности монтажа н упрощения контактирования имеется возможность объединить в одном корпусе несколько бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем нлн элементов в многокристальную ИМ. Отличительной чертой технологии их изготовления является монтаж отдельных полупроводниковых микросхем и элементов. Например, отдельные бескорпусные транзисторы н диоды со специальными параметрами наряду с кристаллами полупроводниковых 1*4ИМ помешают в единый корпус к коммутируют с помощью термокомпрессии. Объединение нескольких небольших ИМ часто повышает выход годных по сравне ...
Микросхемы  
Большие интегральные микросхемы (БИМ)Исходя из процесса изготовления полупроводниковых ИМ, сформулируем необходимость достижения высокой степени интеграции. На кремниевой пластине с помощью эпитаксиально-планарной технологии изготовляют несколько сотен идентичных ИМ. После разделения пластины на отдельные кристаллы, содержащие одну или несколько элементарных схем, они помещаются в корпуса, при этом происходит переход от микро- к макроструктуре. Корпуснрованные интегральные микросхемы, кристаллы которых первоначально были на общей подложке, объединяются с помощью печатного монтажа в блоки. Промежуточные операции — разделени ...
Микросхемы  
Определение степени интеграцииСложность интегральной микросхемы определяется степенью интеграции.Мерой степени интеграция является плотность элементов, которая определяется числом элементов на кристалле или на единице площади. Она определяется также площадью, необходимой для функционирования элемента, и отношением действительно используемой площади на кристалле к его обще! площади, так как для реализации схемных элементов требуется большая площадь, чем та, которая необходима для его функционирования (например, изолирующие зоны между отдельными элементами).По сравнению с плотностью элементов п ...
Микросхемы  
Технология больших интегральных микросхемПереход от ИМ с низкой степенью интеграции к Б ИМ позволяет решить следующие задачи:снизить стоимость каждой элементарной логической схемы за счет уменьшения стоимости монтажа и ремонта;повысить число функций на кристалл, без увеличения в той же пропорция количества внешних выводов иа каждую элементарную схему, и вместе с тем увеличить надежность цифровых систем;повысить сложность РЭА за счет увеличения общей логической емкости при одновременном снижении объема и массы одной элементарной схемы;уменьшить длину соедин ...
Микросхемы  
Многокристальные большие интегральные микросхемыМногокрнстальные микросхемы получают или путем монтажа на обшей подложке многих кристаллов, или комбинацией кристаллов с тонкопленочными ИМ, а также гибридно-пленочными ИМ. В первом случае говорят о моногибридных больших интегральных схемах (МБИМ), во втором — о больших гибридных интегральных схемах (БГИМ) *. На рис, 2-100 показана многокристальная БИМ. На общую подложку (керамика) методом толстопленочной технологии наносят многослойную коммутацию (см. 3-25). Кристаллы напаиваются на подложку со стороны коммутации, затем их выводы соединяются тонкими проволоками с контактными площадка ...
Микросхемы  
Однокристальные большие интегральные микросхемыТехнология однокристальных БИМ является дальнейшим развитием технологии полупроводниковых; ИМ на основе кремния. В этом случае ИМ, созданные на кристалле, соединяются между собой на основе двухслойной иди многослойной коммутации, являющейся отличительной особенностью данной технологии ( 2-101).Существуют два принципиальных метода проектирования однокристальных БИМ, при этом повышение степени интеграции осуществляется за счет уменьшения линейных размеров отдельных элементов схемы или увеличения площади кристалла или на основе их совместного воздействия.Индивидуал ...
Микросхемы  
Герметизация БИМвторого поколения дискретные ЭРЭ совместно с печатными платами образуют первый конструктивный уровень. Последующий конструктивный уровень реализуется обычно в виде панели. При этом печатные платы являются носителями ЭРЭ. Логическое объединение осуществляют преимущественно на основе панели.В аппаратуре третьего поколения ИМ образуют первый конструктивный уровень. Они располагаются в большинстве случаев на печатных платах, при этом логическое объединение, как правило, происходит уже на печатной плате.Кристалл БИМ, являющийся основой аппаратуры четвертого поколения» соотве ...
Микросхемы  
Влияние применения БИМ на монтаж узловпредставлена структура электронных устройств в зависимости от применяемого поколения элементов (см. табл. 2-1), из которого следует, что при создании устройств на элементах третьего и четвертого поколений узлы и даже блоки в будущем все больше и больше будут выполняться в виде ИМ и БИМ, так как они позволяют реализовать сложные функции обычных узлов. Если в аппаратуре первых поколений можно было различать узлы, блоки и приборы как самостоятельные образования (причем более высокие конструктивные уровни осуществлялись преимущественно на основе механических сборочных операций), то д ...
Микросхемы  


Страницы:  1  




Технология производства | Техника и электроника www.electreandshem.ru



система     техники    программ    цена    технологии    производства   



Valid XHTML 1.0 Transitional