Вверх

Печать



Электронная аппаратура /




Трафаретная печатьИсходными материалами современной толстопленочной техники являются керамика в качестве подложек микросхем н пасты для печатания проводников, резисторов, обкладок и диэлектриков конденсаторов, стеклянных герметизирующих покрытий- Пасты через ячейки сетчатого трафарета продавливаются на лежащую под ним подложку. Таким образом, в толстопленочной технология формирование топологии микросхемы осуществляется в процессе трафаретной печати. В качестве материалов трафаретов применяются главным образом сетки из нержавеющей стали (диаметр проволоки 0,1 мм) п ...
Печать  
Применением обычных трафаретовПрименением обычных трафаретов достигают ширины проводников 0,25 мм. Применение специальных паст и тончайших сетчатых трафаретов или металлических масок на фольги обеспечивает ширину линийдо 0,05 мм.На 2-24 показана автоматическая установка для нанесения толстых пленок методом трафаретной печати. Подложки помешаются в специальную кассету, где они фиксируются с помощью вакуумной присоски, затем производится автоматическое нанесение ласты, после чего подложки выталкиваются по направляющим.Согласно 2-25 перед вжиганием паст для уменьшения о ...
Печать  
Формирование топологии и подгонка резисторовУже отмечалось, что формирование топологии толстопленочных микросхем осуществляется при нанесении ласт через трафареты. При трафаретной печати резисторов получается разброс номиналов до ±30%. Так как относительная погрешность сопротивлений, получаемых при одной загрузке, часто незначительная, то повторным вжигамием резисгорных слоев можно подогнать всю партию сопротивлений.методы индивидуальной подгонки резисторов, основанные на изменении их геометрии, принципиально ведут только к увеличению номиналов. Подгонка производится с помощью равномерного уменьшения толщины ...
Печать  
Изготовлениня масокДля нзготовлениня масок чаше всего применяют металлическую фольгу из высоколегированной Сг-№-стали, а также из молибдена или меди. Перед покрытием фольги фоторезистом ее подвергают механической или химической обработке для получения минимальной шероховатости поверхности (
Печать  
Тонкопленочные и толстопленочные элементы интегральных микросхемВ тонкопленочных и толстопленочных ИМ отдельные элементы выполняются в одной плоскости. Задачей инженера-конструктора является преобразование исходной принципиальной электрической схемы в топологию. На 2-35 и 2-36 в качестве примера показаны электрические схемы и топология тонкопленочной и толстопленочной ИМ.Внутрисхемные соединения образуют прочно связанный с подложкой проводящий рисунок. Переход от схемных элементов к элементам коммутации осуществляют ие специальными методами контактирования, как при монтаже ЭРЭ на ПП, а непосредственно при создании комму-74< ...
Печать  
Конденсаторы реализуютКонденсаторы реализуют в виде структуры металл — диэлектрик — металл, их конструкция соответствует пластинчатым конденсаторам. Основными параметрами являются емкость и тангенс угла диэлектрических потерь. Емкость конденсатора С определяется соотношениемНижний электрод выполняется совместно с проводниками, затем наносится напылением или трафаретной печатью слой диэлектрика. Верхний электрод — это также проводящий слой.приведены параметры тонкопленочных и толстопленочных конденсаторов. Так как характеристики, приведенные в обеих таблицах, зависят от большого числа факторо ...
Печать  
Сборка интегральных микросхемТолстопленочные ИМ изготавливают на подложках, которые имеют конечные размеры. Напротив, элементы тоикопленочных ИМ осаждают одновременно для многих изделий на большую стеклянную подложку, как показано на 2-38. Скрайбированием и ломкой больших стеклянных подложек получают отдельные микросхемы. Затем к ним присоединяют внешние выводы в виде тонких проволок или металлических полосок, скрепленных между собой перемычкой, которая после напайки выводов перерубается. Керамические подложки имеют часта отверстия у внешнего края, в которые могут быть впаяны металлические штыри ...
Печать  
 Технология полупроводниковых интегральных микросхембыла приведена принципиальная технологическая схема изготовления полупроводниковых интегральных микросхем. Существенным в технологии полупроводниковых интегральных микросхем является ю, что отдельные элементы схемы можно создавать С помощью локального изменения исходного материала кремния путем введения внутрь атомов примеси (легирование примесью). Следовательно, в отличие от тонкопленочных подложил полупроводниковых микросхем служат не только механической основой элементов, во и носителем электрических процессов, происходящих в ней. Изготовление элементов. ИМ на основе ...
Печать  
Выращивание и легирование монокристалловПоследующий технологический процесс заключается в превращении поликристаллического кремния в монокристаллический с определенным удельным сопротивлением. Этот процесс может заканчиваться одновременно с бестигельной зонной плавкой, если монокристаллическая затравка определенной ориентации вплавляется в нижний конец стержня. Затвердевающий расплав может кристаллизоваться в монокристалл, начиная с затравки ( 2-42). Легирование примесью достигается благодаря тому, что применяют затравку, предварительно легированную примесью. С помощью расплавленной зоны, проходящей по стержню, примесные атомы затр ...
Печать  


Страницы:  1  


Трафаретная печать бандан на нашей фабрике PINQ.RU

Технология производства | Техника и электроника www.electreandshem.ru



система     техники    программ    цена    технологии    производства   



Valid XHTML 1.0 Transitional