Вверх

Технология



Электронная аппаратура /




Технология изготовления тонкопленочных интегральных микросхемИз физики тонких пленок известно, что их свойства существенно отличаются от свойств массивных материалов. Разница обусловлена тем, что поверхностные молекулы или внешние атомы слоя вследствие их потенциального положения на граничной поверхности тела при действии окружающей среды обнаруживают особые свойства, которые не проявляются внутри массивного тела. В тонких слоях приобретают большое значение поверхностные эффекты. На практике используются слои, в которых одиночные кристаллы намного меньше толщины слоя, их размеры повторяются от слоя к слою, а на границе ...
Технология  
Материалы подложекТак как на подложке интегральной тонкопленочной микросхемы объединены различные элементы, то исключается специальная подгонка электрических активных слоев на изоляторе. Это определяет дополнительные требования к материалу подложки:незначительную стоимость;незначительную поверхностную шероховатость ( 2-17); хорошую адгезионную способность;достаточную механическую прочность и устойчивость при воздействии температуры и влажности;высокую теплопроводность;соразмерность температурных коэффициентов линейного расширен ...
Технология  
Методы получения тонких пленокСуществует множество методов получения тонких пленок: физическое осаждение или конденсация из газовой фазы на холодные подложки (термовакуумное испарение, катодное распыление);химическое осаждение из газовой фазы (пиролиз, реактивное распыление) ;электролитическое или гальваническое осаждение из растворов солей металлов (нанесение гальванических покрытий, химическое меднение);анодное или термическое окисление поверхности;трафаретная печать, шоолировдние, центрифугирование или окунание.представлены методы
Технология  
Термовакуумное испарениеПринцип термовакуумного испарения состоит в переводе осаждаемого материала с помощью нагрева в парогазовую фазу. Образующий' ся при этом парогазовый поток в высоком вакууме распространяется прямолинейно и попадает на расположенную определенным образом подложку, поверхность которой холоднее источника пара. Происходит конденсация н образование тонкой пленки.На 2-18 показан принцип термовакуумного испарения Колпак установка, выполненный из высококачественной стали или стекла, образует с ее основанием вакуум плотное соединение. Испаряемый материал по ...
Технология  
Примесные атомыПримесные атомы, которые попадают в пленку, оказывают существенное влияние на ее электрические и механические свойства. Такие примесные газы содержатся в остаточном газе, но могут также натекать через стенки емкостей и арматуры напылительной установки. Особенно критичен при этом выбор материала испарителя, имеющего с испаряемым материалом одинаковую температуру. Поэтому материал испарителя должен обладать более высокой температуроустойчивостью и не реагировать с испаряемым материалом. В этом отношении предпочт ...
Технология  
Катодное распылениеКатодное распыление позволяет переводить в газовую фазу и осаж дать иа подложку в виде тонких пленок тугоплавкие материалы (таи тал, вольфрам, молибден), а также диэлектрики (кварц и окись алю мнния). Так как катод изготавливают из распыляемого материала, то исключается реакция с тиглем, характерная Для термовакуумного испарения. Кроме того, использование катодов больших размеров позволяет получать равномерное распределение толщины осажденных пленок на всей подложке.. Адгезия напыленных пленок, как правило, лу ...
Технология  


Страницы:  1  




Технология производства | Техника и электроника www.electreandshem.ru



система     техники    программ    цена    технологии    производства   



Valid XHTML 1.0 Transitional